| TDM3412 双路N通道MOSFET | |
| 描述 | |
| TDM3412采用**的沟槽技术 | |
| 提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 这个 | |
| 器件适合用作负载开关或PWM应用。 | |
| 一般描述 | 应用范围 |
| l频道1 | lPWM应用 |
| RDS（ON）<17.5mΩ@ VGS = 4.5V | l负载开关 |
| lRDS（ON）<10.8mΩ@ VGS = 10V | l电源管理 |
| l频道2 | |
| RDS（ON）<16mΩ@ VGS = 4.5V | |
| RDS（ON）<10mΩ@ VGS = 10V | |
| l高功率和电流处理能力 | |
| l提供无铅产品 | |
| l表面贴装封装 | |
MOS管 TDM3412双路N通道封装DFN3*3